Etch selectivity during plasma-assisted etching of SiO2 and SiNx: Transitioning from reactive ion etching to atomic layer etching

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标题	Etch selectivity during plasma-assisted etching of SiO2 and SiNx: Transitioning from reactive ion etching to atomic layer etching SiO2和SiNx等离子体辅助蚀刻过程中的蚀刻选择性：从反应离子蚀刻到原子层蚀刻的转变
网址	https://doi.org/10.1116/6.0000395
DOI	10.1116/6.0000395 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 作者：Ryan J. Gasvoda; Zhonghao Zhang; Scott Wang; Eric A. Hudson; Sumit Agarwal 出版日期：2020
求助人	-- 在 2025-02-17 16:25:18 发布自江苏，悬赏 10 积分
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