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 Negative bias threshold voltage instability and gate reliability in GaN tri-gate HEMTs with ferroelectric charge-trap gate stack 相关领域
材料科学
光电子学
阈值电压
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铁电性
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晶体管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Rahul Rai; Khanh Quoc Nguyen; Hung D. Tran; Viet Quoc Ho; Chee-How Lu; et al 出版日期：2025-09-08 |
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