| 标题 |
 Effective Suppression of MIS Interface Defects Using Boron Nitride toward High-Performance Ta-Doped-β-Ga2O3 MISFETs 高性能掺Ta-β-Ga 2 O3 MIS场效应晶体管中用BN有效抑制MIS界面缺陷
相关领域
材料科学
光电子学
兴奋剂
晶体管
电子迁移率
场效应晶体管
半导体
宽禁带半导体
绝缘体（电）
电气工程
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：The Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Xiaoxi Li; Yu Sun; Guang Zeng; Yuchun Li; Rui Zhang; et al 出版日期：2022-04-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
冰魂
热心市民小红花
平常的毛豆
SYLH
昏睡的蟠桃
风清扬
丰知然
CharlotteBlue
科研助手6
eric888
jenningseastera
tramp
爱静静
孙燕
Billy
挖掘机
coolkid
一一
pcr163
Singularity
皖公网安备34019202002308
