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 The impacts of SiO2 atomic-layer-deposited passivation layer thickness on GaN-based green micro-LEDs SiO2原子层钝化层厚度对GaN基绿色微发光二极管的影响
相关领域
钝化
图层（电子）
发光二极管
光电子学
原子层沉积
材料科学
纳米技术
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| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yihui Deng; Jinlan Chen; Saijun Li; He Huang; Zhong Liu; et al 出版日期：2024-02-20 |
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