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Trapping in 1nm EOT high-k / MG
1nm EOT高k/MG中的俘获
相关领域
PMOS逻辑
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材料科学
俘获
存水弯(水管)
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期刊:ECS transactions 作者:Mohammed Zahid; L. Pantisano; R. Degraeve; M. Aoulaiche; Lionel Trojman; et al 出版日期:2008-10-03 |
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