Si–MoS2 Vertical Heterojunction for a Photodetector with High Responsivity and Low Noise Equivalent Power

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标题	Si–MoS2 Vertical Heterojunction for a Photodetector with High Responsivity and Low Noise Equivalent Power
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b21629
DOI	10.1021/acsami.8b21629 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Gwang Hyuk Shin; Junghoon Park; Khang June Lee; Geon-Beom Lee; Hyun Bae Jeon; et al 出版日期：2019-01-23
求助人	lee 在 2026-09-29 20:31:26 发布自湖北，悬赏 10 积分
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