A Review of TDDB Reliability in 45-nm PDSOI FETs: Effects of Cryogenic Operation, AC Stress, and Layout Variations

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标题	A Review of TDDB Reliability in 45-nm PDSOI FETs: Effects of Cryogenic Operation, AC Stress, and Layout Variations
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2026.3700143
DOI	10.1109/ted.2026.3700143 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Pulak Ghoshal; Asifa Amin; Purushothaman Srinivasan; Abhisek Dixit 出版日期：2026-08-01
求助人	个性怡在 2026-10-11 22:10:57 发布自北京，悬赏 10 积分
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