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Threshold Voltage Instability in GaN HEMTs With p-Type Gate: Mg Doping Compensation |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Andrea Natale Tallarico; Steve Stoffels; Niels Posthuma; Stefaan Decoutere; Enrico Sangiorgi; et al 出版日期:2019-02-07 |
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