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15.3 A 3nm FinFET 4.3GHz 21.1Mb/mm2 Double-Pumping 1-Read and 1-Write Pseudo-2-Port SRAM with Folded-Bitline Multi-Bank Architecture
网址
DOI
10.1109/isscc49657.2024.10454463 doi
其它 期刊:2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
作者:Masaru Haraguchi; Yorinobu Fujino; Yoshisato Yokoyama; Ming-Hung Chang; Yu-Hao Hsu; et al
出版日期:2024-03-13
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