A Modified 1/ f Noise Model for Narrow-Width Si p-MOSFETs With Shallow Trench Isolation

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标题	[高分] A Modified 1/ f Noise Model for Narrow-Width Si p-MOSFETs With Shallow Trench Isolation
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2025.3595852
DOI	10.1109/ted.2025.3595852 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yi Jiang; Kai Chen; Rui Su; Ruocheng Yang; Dawei Gao; et al 出版日期：2025
求助人	你嵙这个期刊没买在 2026-05-13 22:14:13 发布自山东，悬赏 50 积分
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