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 AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 相关领域
材料科学
钻石
光电子学
欧姆接触
氮化物
晶体管
异质结
纳米技术
复合材料
图层（电子）
电气工程
工程类
电压
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期刊：Applied Physics Express 作者：Ryo Kagawa; Keisuke Kawamura; Yoshiki Sakaida; Sumito Ouchi; Hiroki Uratani; et al 出版日期：2022-03-08 |
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