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 Interplay between relaxation and Sn segregation during thermal annealing of GeSn strained layers 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：C.M. Comrie; C. Mtshali; P. Sechogela; Nuno M. Santos; K. van Stiphout; et al 出版日期：2016-10-11 |
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