Optimization of temperature field and crystal growth in the PVT method for high-quality 8-inch silicon carbide single crystal growth

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标题	Optimization of temperature field and crystal growth in the PVT method for high-quality 8-inch silicon carbide single crystal growth
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2025.128181
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2025.128181 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Yanzhou Ji; Xiaochen Wang; Junjie Zhang; Boqian Liu; Junzhi Yang; et al 出版日期：2025-04-10
求助人	Winnie 在 2026-07-27 23:04:24 发布自江苏，悬赏 10 积分
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