| 标题 |
Germanium MOS capacitors grown on Silicon using low temperature RF-PECVD |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:G. Dushaq; M. Rasras; A. Nayfeh 出版日期:2017-09-12 |
| 求助人 | |
| 下载 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)