Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth

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标题	Comparative Study of Performance of SiC SJ-MOSFETs Formed by Multi-epitaxial Growth and Trench-filling Epitaxial Growth
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813641
DOI	10.1109/ispsd49238.2022.9813641 doi
其它	期刊：2022 IEEE 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Mitsuru Sometani; Kunihide Oozono; Shiyang Ji; Tadao Morimoto; Tomohisa Kato; et al 出版日期：2022-05-22
求助人	小小蚂蚁在 2026-07-09 15:56:57 发布自浙江，悬赏 10 积分
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