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Effect of NF3, WF6, and MoF6 Additive Gases on High Aspect Ratio Contact SiO2 Etching in c-C4F8/C4F6/Ar/O2 Plasmas |
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期刊:ACS applied electronic materials 作者:Hyun Woo Tak; Changsik Choi; Seong Bae Kim; M. Park; Jun Soo Lee; et al 出版日期:2025-02-19 |
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