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C-AND: Mixed Writing Scheme for Disturb Reduction in 1T Ferroelectric FET Memory |
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期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems Part 1: Regular Papers 作者:M. Dahan; E. Breyer; S. Slesazeck; T. Mikolajick; Shahar Kvatinsky 出版日期:2022-04-01 |
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(2025-6-4)