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标题
Capacitance Degradation of SiC MOSFETs Under Dynamic Reverse Bias Stress: Displacement Current-Induced Charge Injection and JFET Design Optimization
网址
https://doi.org/10.23919/ISPSD62843.2025.11118276
DOI
10.23919/ISPSD62843.2025.11118276 doi
其它 期刊：
作者：Zhaoxiang Wei; Ziye Liu; Guozhi Zhen; Junhou Cao; Hao Fu; et al
出版日期：2025-06-01
求助人
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