MVSG GaN-HEMT Model: Approach to Simulate Fringing Field Capacitances, Gate Current De-biasing, and Charge Trapping Effects

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标题	MVSG GaN-HEMT Model: Approach to Simulate Fringing Field Capacitances, Gate Current De-biasing, and Charge Trapping Effects
网址	http://dx.doi.org/10.1109/bcicts53451.2022.10051741
DOI	10.1109/bcicts53451.2022.10051741 doi
其它	期刊：2022 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) 作者：Rebecca Fang; Dylan Ma; Ujwal Radhakrishna; Lan Wei 出版日期：2022-10-16
求助人	nanshou 在 2026-07-20 18:02:07 发布自广西，悬赏 10 积分
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