Piezotronic transistor based on strained GaN with high hole mobility

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标题	Piezotronic transistor based on strained GaN with high hole mobility
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S221128552...
DOI	10.1016/j.nanoen.2025.110883 doi
其它	期刊：Nano Energy 作者：Changming Xie; Yaming Zhang; Jiaheng Nie; Ruhao Liu; Xin Cui; et al 出版日期：2025-03-01
求助人	MA 在 2026-07-09 23:32:50 发布自福建，悬赏 10 积分
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