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Metal Contact on P-Type 4H-SiC With Low Specific Contact Resistance and Micrometer-Scale Contact Area 具有低比接触电阻和微米级接触面积的P型4H-SiC金属接触
相关领域
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Bing‐Yue Tsui; Yen‐Ling Chen; Shih-Hao Lai 出版日期:2023-07-28 |
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