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 Analysis on Trap States in p-Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Ultraviolet/Ozone-Treated GaN Interfaces Through Frequency-Dispersion Capacitance–Voltage Measurements 通过频率色散电容-电压测量分析紫外/臭氧处理GaN界面p-金属氧化物-半导体电容器中的陷阱态
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电容
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期刊：Electronic Materials Letters 作者：Kwangeun Kim 出版日期：2020-01-02 |
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