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 Suppression of the Carbon Vacancy Traps and the Corresponding Leakage Current Reduction in 4H-SiC Diodes by Low-Temperature Implant Activation in Combination With Oxidation 低温注入激活结合氧化抑制4H-SiC二极管中的碳空位陷阱和相应的漏电流降低
相关领域
材料科学
二极管
光电子学
肖特基二极管
空位缺陷
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兴奋剂
离子注入
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Tianxiang Lin; Sihua Li; Lok-Ping Ho; Andrej Kuznetsov; Ho Nam Lee; et al 出版日期：2023-02-03 |
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