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Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with non-gate-recessed or partially-gate-recessed structures 具有非栅极凹陷或部分栅极凹陷结构的AlTiO/AlGaN/GaN金属绝缘体半导体场效应晶体管中的低频噪声
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Duong Dai Nguyen; Yuchen Deng; T. Suzuki 出版日期:2023-08-01 |
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