| 标题 |
 High-Voltage (>1.2 kV) AlGaN/GaN Monolithic Bidirectional HEMTs With Low On-Resistance (2.54 mΩ ⋅ cm2) 具有低导通电阻（2.54 M Ω⋅cm2）的高压（>1.2 kV）AlGaN/GaN单片双向HEMT
相关领域
击穿电压
符号
领域（数学）
物理
电气工程
数学
电压
材料科学
量子力学
算术
纯数学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Md Tahmidul Alam; Jiahao Chen; Ruixin Bai; Shubhra S. Pasayat; Chirag Gupta 出版日期：2023-11-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
Criminology34
zcl
小杭76
eric888
彭于彦祖
GingerF
无极微光
ccm
bmhs2017
菠菜
凤凰
Maestro_S
昏睡的蟠桃
ho
早操后开始
TYMY
Zx_1993
邓佳鑫Alan
ceeray23
Smar_zcl
Z_2243
ZOE
小青椒
皖公网安备34019202002308
