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 Semiconductor-to-metal transition in 2D ferroelectric In2Se3/Te heterobilayers: applications for non‐volatile memory devices 二维铁电In2Se3/Te异质双层中半导体到金属的转变：在非易失性存储器件中的应用
相关领域
铁电性
材料科学
非易失性存储器
半导体
过渡金属
光电子学
纳米技术
化学
电介质
有机化学
催化作用
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| 其它 |
期刊：Journal of Physics D 作者：J Li; Hongquan Song; Yujie Wang; Huizhong Ma; Hongxia Zhu; et al 出版日期：2025-02-25 |
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