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A High-Speed, Low-Power, High-Reliability and Fully Single Event Double Node Upset Tolerant Design for Magnetic Random Access Memory 相关领域
单事件翻转
心烦意乱
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随机存取存储器
电路可靠性
计算机科学
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期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems I Regular Papers 作者:Jiaxin Yang; Ziyang Guo; Shixuan Wang; Jilong Liu; Yue Zhang; et al 出版日期:2024-08-12 |
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