Cryogenic HfOₓ-Based Resistive Memory With a Thermal Enhancement Capping Layer

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标题	Cryogenic HfOₓ-Based Resistive Memory With a Thermal Enhancement Capping Layer 相关领域材料科学电阻随机存取存储器光电子学图层（电子）焦耳加热电阻式触摸屏热的纳米技术工程物理电气工程工程类物理电压复合材料热力学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2021.3099725
DOI	10.1109/led.2021.3099725 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhenqi Hao; Bin Gao; Minghong Xu; Qi Hu; Wenbin Zhang; et al 出版日期：2021-07-26
求助人	万能图书馆在 2025-10-30 11:42:05 发布自福建，悬赏 10 积分
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