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标题
Investigation of Termination Soft Breakdown Mechanisms in 1700V-SiC MOSFETs Under HTRB with Different Temperatures
不同温度HTRB下1700V-SiC MOSFET终端软击穿机制的研究
相关领域
MOSFET 材料科学 碳化硅 光电子学 电击穿 宽禁带半导体 工程物理 电子工程 电气工程 物理 电压 复合材料 晶体管 工程类 电介质
网址
https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117445
DOI
10.23919/ispsd62843.2025.11117445 doi
其它 期刊：
作者：Wei‐Chieh Hung; Hung-Ming Kuo; Ting‐Chang Chang; Po-Yu Yen; Chun‐Hung Chiang; et al
出版日期：2025-06-01
求助人
端庄天德 在 2025-10-29 09:40:10 发布自广东，悬赏 10 积分
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