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 Non-volatile memory field effect transistor composed of ferroelectric Mn-doped InP thin films and single-layer MoS2 channel 由铁电Mn掺杂InP薄膜和单层MoS2沟道组成的非易失性存储场效应晶体管
相关领域
材料科学
铁电性
非易失性存储器
薄膜
兴奋剂
光电子学
场效应晶体管
晶体管
极化（电化学）
图层（电子）
纳米技术
化学
电气工程
电介质
电压
工程类
物理化学
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| 其它 |
期刊：Journal of Physics and Chemistry of Solids 作者：Minsoo Kim; Jong Yeog Son 出版日期：2024-01-23 |
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斯文败类
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2025-08-26 01:20:02 发布，悬赏 10 积分
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