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标题
Non-volatile memory field effect transistor composed of ferroelectric Mn-doped InP thin films and single-layer MoS2 channel
由铁电Mn掺杂InP薄膜和单层MoS2沟道组成的非易失性存储场效应晶体管
相关领域
材料科学 铁电性 非易失性存储器 薄膜 兴奋剂 光电子学 场效应晶体管 晶体管 极化(电化学) 图层(电子) 纳米技术 化学 电气工程 电介质 电压 工程类 物理化学
网址
DOI
10.1016/j.jpcs.2024.111897 doi
其它 期刊:Journal of Physics and Chemistry of Solids
作者:Minsoo Kim; Jong Yeog Son
出版日期:2024-01-23
求助人
斯文败类 在 2025-08-26 01:20:02 发布自上海,悬赏 10 积分
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