Non-volatile memory field effect transistor composed of ferroelectric Mn-doped InP thin films and single-layer MoS2 channel

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作者
Minsoo Kim,Jong Yeog Son
出处
期刊:Journal of Physics and Chemistry of Solids [Elsevier BV]
卷期号:188: 111897-111897 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.jpcs.2024.111897
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