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 3-D Self-aligned Stacked Ge Nanowires Complementary FET Featuring Single Gate S imple P rocess 具有单栅极简单工艺的三维自对准堆叠锗纳米线互补场效应管
相关领域
纳米线
材料科学
纳米技术
光电子学
逻辑门
电气工程
工程类
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yi-Wen Lin; Bo‐An Chen; Kaiwei Huang; Bo-Xu Chen; Guang-Li Luo; et al 出版日期：2024-08-23 |
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