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MOVPE of GaN-based mixed dimensional heterostructures on wafer-scale layered 2D hexagonal boron nitride—A key enabler of III-nitride flexible optoelectronics
晶圆级层状二维六方氮化硼上GaN基混合维异质结构的MOVPE——III族氮化物柔性光电子学的关键推动者
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1063/5.0049306
AI链接 hal.science archives-ouvertes.fr hal.science hal.science archives-ouvertes.fr archives-ouvertes.frdoi.org
DOI
10.1063/5.0049306 doi
其它 期刊：APL Materials
作者：Suresh Sundaram; Phuong Vuong; Adama Mballo; Taha Ayari; Soufiane Karrakchou; et al
出版日期：2021-06-01
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Happyable 在 2025-08-17 08:53:12 发布，悬赏 10 积分
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