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![]() 利用沉积后退火在具有IGZO沟道的Hf0.5Zr 0.5 O2 FeFET中证明大MW和突出的耐久性
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Xu Pan; Pengfei Jiang; Yang Yang; Tiancheng Gong; Wei Wei; et al 出版日期:2024-01-01 |
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