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标题
Mechanism of reverse gate leakage current reduction in AlGaN/GaN high-electron-mobility-transistor after 3-MeV proton irradiation
3MeV质子辐照后AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管反向栅极漏电流降低的机理
相关领域
跨导 材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 深能级瞬态光谱 饱和电流 泄漏（经济） 辐照 晶体管 阈值电压 宽禁带半导体 反向漏电流 电压 电气工程 肖特基二极管 硅 二极管 物理 核物理学 经济 宏观经济学 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0102366
DOI
10.1063/5.0102366 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Chang-Hao Sun; Chao Peng; Zhangang Zhang; Jinbin Wang; Shaozhong Yue; et al
出版日期：2022-08-15
求助人
rui 在 2025-07-30 11:31:44 发布，悬赏 10 积分
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