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600 V/7 A Large-Size RESURF β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode With High-Temperature Storage Test
600 V/7 A大尺寸RESURF β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其高温存储测试
相关领域
肖特基二极管 算法 物理 材料科学 二极管 分析化学（期刊） 数学 光电子学 化学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3340660
DOI
10.1109/ted.2023.3340660 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Yuxi Wei; Xiaorong Luo; Yuangang Wang; Xiaosong Peng; Linyao Hao; et al
出版日期：2023-12-14
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乐乐 在 2025-08-19 20:25:04 发布，悬赏 10 积分
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