| 标题 |
  Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking 4F2-2 T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>104 s Bias Stress, >1012 Cycles Endurance) 新型原子层沉积方法实现超薄5-nm Al₂O₃栅极电介质InGaZnO薄膜晶体管的高性能
相关领域
原子层沉积
电介质
材料科学
光电子学
图层（电子）
沉积（地质）
栅极电介质
薄膜晶体管
逻辑门
纳米技术
电子工程
电气工程
晶体管
电压
工程类
古生物学
沉积物
生物
|
| 网址 | |
| DOI |
提醒：求助人提供的doi与AI识别不一致
10.1109/jeds.2024.3353340
Doi
|
| 其它 |
期刊： 作者：Chuanke Chen; Xinlv Duan; Guanhua Yang; Congyan Lu; Di Geng; et al 出版日期：2022-12-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
冰魂
cdercder
SYLH
ZhouYW
昏睡的蟠桃
科研助手6
卡卡西
彭于彦祖
椋鸟
HEAUBOOK
平常的毛豆
卡皮巴拉yuan
子车茗
8R60d8
Ankher
剑指东方是为谁
LaTeXer
一苇以航
后来
jenningseastera
皖公网安备34019202002308
