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标题
Computational study on silicon oxide plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process using tetraethoxysilane/oxygen/argon/ helium
四乙氧基硅烷/氧/氩/氦等离子体增强化学气相沉积（PECVD）过程的计算研究
相关领域
等离子体增强化学气相沉积 切姆金 化学气相沉积 氧化硅 硅 氧化物 沉积（地质） 氩 薄膜 等离子体 化学工程 材料科学 氧气 化学 纳米技术 物理化学 有机化学 光电子学 沉积物 生物 氮化硅 量子力学 古生物学 工程类 物理 燃烧
网址
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab163d
DOI
10.7567/1347-4065/ab163d doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Hu Li; Hisashi Higuchi; Satoru Kawaguchi; Kohki Satoh; Kazuki Denpoh
出版日期：2019-05-30
求助人
鸡狗不如 在 2025-06-15 12:26:43 发布自河北，悬赏 10 积分
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