Aluminum Oxide at the Monolayer Limit via Oxidant-free Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition on GaN

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标题	Aluminum Oxide at the Monolayer Limit via Oxidant-free Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition on GaN GaN上无氧化剂等离子体辅助原子层沉积单层极限氧化铝相关领域单层原子层沉积材料科学半导体纳米技术成核异质结氧化物化学气相沉积薄膜化学工程光电子学化学有机化学工程类冶金
网址	https://arxiv.org/abs/2102.03642
DOI	10.48550/arxiv.2102.03642 doi
其它	期刊：arXiv (Cornell University) 作者：Alex Henning; Johannes D. Bartl; Andreas Zeidler; Simon Qian; Oliver Bienek; et al 出版日期：2021-01-01
求助人	默默的微笑在 2025-06-01 10:55:26 发布自美国，悬赏 10 积分
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