Influence of Ar/N 2 gas flow rates on ferroelectric HfN formation and its application to PtSi source/drain Schottky-barrier MFSFETs

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标题	Influence of Ar/N 2 gas flow rates on ferroelectric HfN formation and its application to PtSi source/drain Schottky-barrier MFSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ae9615
DOI	10.35848/1347-4065/ae9615 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Kangbai Li; Haoran Yan; Haolin Wang; Soma Nonogaki; Shun-ichiro Ohmi 出版日期：2026-09-02
求助人	zzk 在 2026-09-22 15:26:29 发布自山东，悬赏 10 积分
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