Impact of N2O Plasma Reactant on PEALD-SiO2 Insulator for Remarkably Reliable ALD-Oxide Semiconductor TFTs

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标题	Impact of N2O Plasma Reactant on PEALD-SiO2 Insulator for Remarkably Reliable ALD-Oxide Semiconductor TFTs
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3169110
DOI	10.1109/ted.2022.3169110 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dong-Gyu Kim; Kwang Su Yoo; Hye‐Mi Kim; Jin‐Seong Park 出版日期：2022-05-02
求助人	mingfei 在 2026-09-22 18:38:09 发布自上海，悬赏 10 积分
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