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 A 2TnC ferroelectric memory gain cell suitable for compute-in-memory and neuromorphic application 相关领域
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期刊：2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Stefan Slesazeck; Taras Ravsher; Viktor Havel; Evelyn T. Breyer; Halid Mulaosmanovic; Thomas Mikolajick 出版日期：2019 |
| 求助人 |
hn 在
2021-12-02 15:56:24 发布，悬赏 10 积分
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