Interplay Between Surface and Buffer Traps in Governing Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs—Part II

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标题	Interplay Between Surface and Buffer Traps in Governing Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs—Part II 相关领域击穿电压高电子迁移率晶体管晶体管阈值电压电压
网址	https://doi.org/10.1109/TED.2020.3034562
DOI	10.1109/TED.2020.3034562 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Vipin Joshi; Sayak Dutta Gupta; Rajarshi Roy Chaudhuri; Mayank Shrivastava 出版日期：2021
求助人	fly 在 2021-06-02 13:59:06 发布，悬赏 10 积分
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