A novel SOI-LDMOS with field plate auxiliary doping layer that has improved breakdown voltage

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标题	A novel SOI-LDMOS with field plate auxiliary doping layer that has improved breakdown voltage 相关领域 LDMOS 绝缘体上的硅击穿电压电场材料科学电压光电子学兴奋剂电气工程高压 MOSFET 绝缘体（电）功率MOSFET 耗尽区半导体晶体管硅工程类物理量子力学
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S00381...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1016/j.sse.2021.108227 doi
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