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Temperature-dependent characteristics of Schottky barrier diode on heterogeneous β-Ga 2 O 3 ( 2 ˉ 01 )-Al 2 O 3 -Si Substrate
异质β-Ga2O3(2ˉ01)-Al2O3-Si衬底上肖特基势垒二极管的温度相关特性
相关领域
材料科学 巴（单位） 基质（水族馆） 肖特基二极管 肖特基势垒 二极管 光电子学 金属半导体结 物理 气象学 地质学 海洋学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6463/abbeb2
DOI
10.1088/1361-6463/abbeb2 doi
其它 期刊：Journal of Physics D
作者：Yibo Wang; Wenhui Xu; Genquan Han; Tiangui You; Fengwen Mu; et al
出版日期：2020-10-06
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危机的麦片 在 2025-12-19 14:56:24 发布自江苏，悬赏 10 积分
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