N-polar GaN/AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching

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标题	N-polar GaN/AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor formed on sapphire substrate with minimal step bunching 相关领域高电子迁移率晶体管材料科学蓝宝石光电子学小丘跨导晶体管半导体基质（水族馆）氮化镓电子迁移率纳米技术光学电气工程复合材料图层（电子）物理电压地质学工程类海洋学激光器
网址	https://doi.org/10.7567/apex.11.015503
DOI	10.7567/apex.11.015503 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Kiattiwut Prasertsuk; Tomoyuki Tanikawa; Takeshi Kimura; Shigeyuki Kuboya; Tetsuya Suemitsu; et al 出版日期：2017-12-27
求助人	生动娩在 2026-01-09 22:54:09 发布自上海，悬赏 10 积分
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