| 标题 |
P-type doping induced performance improvement of two-dimensional SiC transistors with 1T-phase MoS2 electrode 相关领域
材料科学
光电子学
兴奋剂
光子学
突触可塑性
场效应晶体管
电介质
电压
晶体管
纳米技术
电气工程
生物化学
化学
受体
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|