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Vertical‐Switching Conductive Bridge Random Access Memory with Adjustable Tunnel Gap and Improved Switching Uniformity Using 2D Electron Gas 相关领域
材料科学
导电体
光电子学
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Jiho Kim; Ohhyuk Kwon; Jongseon Seo; Hyunsang Hwang 出版日期:2024-09-18 |
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