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  Design and analysis of gate all around stacked nanosheet-DRAM for future technology node 面向未来技术节点的堆叠纳米片-动态随机存储器门的设计与分析
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纳米片
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Imtiyaz Ahmad Khan; S. K. Manhas; Mahendra Pakala; Arvind Kumar 出版日期：2023-12-20 |
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