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 Selective area molecular beam epitaxial growth of n-GaN nanowires on SiO2 hole-mask patterned sapphire and graphene substrates SiO2孔掩模图案化蓝宝石和石墨烯衬底上n-GaN纳米线的选择性区域分子束外延生长
相关领域
蓝宝石
分子束外延
纳米线
材料科学
石墨烯
光电子学
外延
纳米技术
光学
图层（电子）
物理
激光器
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| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Yue Li; Turid Nilsen; G. A. Baigarinova; Arnab Mukherjee; Dan Ren; et al 出版日期：2024-11-01 |
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